IT之家 1 月 16 日消息，根據(jù)韓媒《首爾經(jīng)濟日報》報道，SK 海力士計劃在 2024 年之前，完成對無錫 C2 工廠的改造，轉(zhuǎn)換升級為第四代（1a）D-ram 工藝，該工藝達到 10nm 級別。
IT之家注：無錫工廠是該公司的核心生產(chǎn)基地，約占 SK hynix D-RAM 總產(chǎn)量的 40%。該廠目前生產(chǎn) 10 納米后期級別的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，屬于舊（傳統(tǒng)）產(chǎn)品線。
消息稱 SK 海力士會在無錫工廠完成第四代 D-RAM 的部分工藝，然后把晶圓運到韓國總部利川園區(qū)內(nèi)，使用 EUV 加工之后再返回送到無錫工廠。
由于第四代產(chǎn)品只有一個 D-RAM 層需要采用 EUV 工藝，該公司顯然認(rèn)為成本增加是值得的。
在 2013 年無錫工廠大火期間，該公司克服了 D-RAM 生產(chǎn)中斷的困難，因此在這種方法上也積累了豐富的經(jīng)驗。
關(guān)于無錫工廠的工藝轉(zhuǎn)型，SK 海力士表示無法確認(rèn)該公司具體的工廠運營計劃。