IT之家 3 月 8 日消息，據韓媒 etnews 近日報道，三星電子正與應用材料合作，以降低其 4nm 工藝中 EUV 光刻的用量。
相比傳統(tǒng) DUV 技術，EUV 光刻可實現更高的圖案化精度，但相對應的，也更昂貴。
而對于尖端半導體，晶圓廠越來越多地使用 EUV 雙重圖案化來實現小于單次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征，以優(yōu)化芯片面積，而這意味著整體成本的成倍增加。
據報道，三星正在 4nm 制程上評估應用材料的 Centura Sculpta 系統(tǒng)，以縮短工藝流程，降低成本。
該系統(tǒng)于去年初發(fā)布，實現了一項名為圖案塑形的新功能。
圖案塑形可以精確定向修改晶圓特征圖形的尺寸，增強 EUV 圖案化性能，減少最關鍵圖層的圖案化次數，進而實現功率、性能、面積、成本和上市時間的改進。
應用材料宣稱，Centura Sculpta 系統(tǒng)可在每片晶圓上節(jié)約 50 美元（IT之家備注：當前約 360 元人民幣）的制造成本，并減少能源和水資源的消耗以及二氧化碳的排放。
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