IT之家 3 月 12 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報道，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會有望放寬對 HBM4 內(nèi)存的高度限制，內(nèi)存廠商無需被迫轉(zhuǎn)向混合鍵合。

作為對 DRAM 進(jìn)行 3D 堆疊的產(chǎn)品，z 軸封裝高度限制對 HBM 內(nèi)存有著很大影響。目前 HBM 內(nèi)存最大 DRAM 堆疊層數(shù)為 12 層，允許的最大厚度為 720 微米（IT之家注：微米即 μm，10^-6 米）。

在 3D 堆疊技術(shù)方面，目前 SK 海力士在 HBM 上采用 MR-RUF 工藝，三星電子則使用 TC NCF 路線，兩者的共同之處在于使用凸塊實現(xiàn)層層連接。

三星宣稱在其近期推出的 HBM3E 12H 產(chǎn)品上，通過對 NCF 材料的優(yōu)化，芯片之間的間隙已降低至 7 微米。

不過未來 HBM4 內(nèi)存將提升至最多 16 層，在 DRAM 芯片本身的總厚度進(jìn)一步提升的背景下，凸塊厚度開銷成為重要問題。

業(yè)界有看法認(rèn)為，若 HBM4 保持 720 微米最大厚度不變，則無法使用傳統(tǒng)技術(shù)實現(xiàn) 16 層 DRAM 堆疊。

而混合鍵合技術(shù)無需凸塊，讓各 DRAM 層間更致密，可降低 DRAM 堆疊高度。但混合鍵合在 HBM 內(nèi)存中相對傳統(tǒng)方案過于昂貴，且尚未成熟，因此內(nèi)存廠商盡可能避免使用此技術(shù)。

據(jù) ZDNet Korea 稱，JEDEC 主要參與方已同意放寬 HBM4 高度限制至 775 微米，這意味著各大內(nèi)存廠商可在 HBM4 上繼續(xù)沿用現(xiàn)有路線，為混合鍵合 HBM 內(nèi)存的商業(yè)化留出更多時間。

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