IT之家 7 月 12 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道指，美光的 HBM3E 內(nèi)存在上 (6) 月遭遇封裝缺陷，引起發(fā)熱問題，影響了量產(chǎn)進程。

美光于 2024 年 2 月 26 日宣布量產(chǎn)基于 1β 工藝的 HBM3E 內(nèi)存，并從二季度開始向英偉達供貨，用于 H200 AI GPU。

此外據(jù)臺媒《工商時報》消息，英偉達 H200 芯片于二季度下旬進入量產(chǎn)階段，預(yù)計三季度開始大規(guī)模交付。

韓媒表示，由于問題出現(xiàn)在 2.5D 封裝層面而非 HBM 產(chǎn)品本身，美光在此次缺陷中應(yīng)承擔的責任并不大。

有分析認為，美光 HBM3E 內(nèi)存出現(xiàn)問題是臺積電在封裝過程中使用了錯誤的材料所致。

美光在 2024 財年第三財季（截至今年 5 月 30 日）財報中表示，HBM3E 內(nèi)存已在上一財季為美光創(chuàng)造了超 1 億美元（IT之家備注：當前約 7.27 億元人民幣）的收入，未來相關(guān)收入還會進一步增加。

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