IT之家 12 月 19 日消息，韓媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日）發(fā)布博文，報道稱三星電子正積極投資建設 10 納米級第七代（1d）DRAM 測試線，旨在提升良率，擴大與競爭對手的技術(shù)差距，并力爭在明年重新奪回 DRAM 市場的領(lǐng)先地位。

消息稱三星已于今年第四季度開始在平澤第二工廠（P2）建設 10 納米級第七代 DRAM 測試線，又稱“one path”線。

該測試線預計將于 2025 年第 1 季度全面建成，用于測試新產(chǎn)品的量產(chǎn)潛力，并提升良率。盡管平澤 10 納米級第七代 DRAM 工廠的確切規(guī)模尚未確定，但通常安裝測試線每月可處理約 10000 片晶圓。

IT之家援引該媒體報道，三星準備同步推進第七代 DRAM 測試線的建設與第六代 DRAM 的量產(chǎn)準備，計劃從 2025 年初開始在平澤第四工廠（P4）引進設備，生產(chǎn) 10 納米級第六代 DRAM，并力爭在明年 5 月獲得內(nèi)部量產(chǎn)批準（PRA）。

在人才配備方面，三星為順利推進 1c DRAM 的量產(chǎn)，還將從華城工廠派遣 DRAM 相關(guān)人員到平澤工廠。

該媒體解讀認為，三星此舉是一項積極的投資策略，在經(jīng)歷了 HBM 市場份額被 SK 海力士超越，以及 10 納米級第六代 DRAM 開發(fā)速度落后的雙重打擊后，三星正全力以赴，希望通過提前布局下一代產(chǎn)品，在明年重奪市場“霸主”地位。

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