IT之家 8 月 12 日消息，科技媒體 WccfTech 昨日（8 月 11 日）發(fā)布博文，報道稱 SK 海力士（SK Hynix）為了推動 DDR5 及高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品性能升級，并在新一代存儲技術(shù)中占據(jù)領(lǐng)先地位，計劃在量產(chǎn) 1c DRAM 上應(yīng)用五層以上極紫外光（EUV）工藝。
該媒體指出，該工藝不僅刷新了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也為 DDR5 和高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品帶來更高性能。IT之家援引博文介紹，EUV 技術(shù)采用 13.5 納米波長，可在電路中實現(xiàn)更精細(xì)的結(jié)構(gòu)刻畫，減少多重圖案化（multi-patterning）步驟。
傳統(tǒng) DRAM 制造多采用 EUV 與深紫外（DUV）工藝混合，而 SK 海力士此次在 1c DRAM 全面采用五層以上 EUV 工藝，不僅可以簡化生產(chǎn)流程，而且有助于提升產(chǎn)品良品率和利潤率。
該媒體認(rèn)為在新一輪技術(shù)競賽中，SK 海力士此舉不僅鞏固了其在存儲市場的領(lǐng)先地位，也為其與三星等競爭對手的較量增添了新優(yōu)勢。
1c DRAM 目前尚未廣泛應(yīng)用于主流消費級內(nèi)存，但 SK 海力士正積極探索其在更大容量 DDR5 及 HBM 產(chǎn)品中的可能性。消息稱 SK 海力士將持續(xù)加碼 EUV 工藝布局，為后續(xù) 1d、0a 等新一代 DRAM 產(chǎn)品全面引入 EUV，最終推動高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 技術(shù)的集成。
通過 EUV 工藝，SK 海力士能夠生產(chǎn)更高密度、更高速、更節(jié)能的 DDR5 及高容量 HBM 芯片，顯著提升產(chǎn)能和良品率，尤其在 HBM4 等未來產(chǎn)品中，1c DRAM 的應(yīng)用有望帶來性能與容量的雙重突破，為人工智能、高性能計算等領(lǐng)域提供更強(qiáng)支撐。
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