IT之家 1 月 28 日消息，SK 啟方半導(dǎo)體（SK Key Foundry）今日發(fā)布公告，宣布推出第四代 200V 高壓 0.18 微米（μm）BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝，已與國(guó)內(nèi)外主要客戶展開(kāi)實(shí)質(zhì)性的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)合作，計(jì)劃年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

作為一家晶圓代工（Foundry）企業(yè)，SK 啟方半導(dǎo)體此次發(fā)布的新工藝，旨在應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車以及 AI 數(shù)據(jù)中心加速普及背景下，高電壓、高效率功率半導(dǎo)體需求持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)環(huán)境。

IT之家注：BCD 是一種將模擬（Bipolar）、數(shù)字（CMOS）以及高電壓功率（DMOS）器件集成于同一芯片的半導(dǎo)體制造技術(shù)。

SK 啟方方面表示：“隨著汽車電壓體系從原有的 12V 向 48V 轉(zhuǎn)變，AI 服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心也為最大化電力效率與功率密度，正將直流電壓從 380V 提升至最高 800V?！薄霸?100V 以上高電壓環(huán)境下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定耐壓并高效控制電力的工藝技術(shù)，其重要性正前所未有地提升?！?/p>

據(jù)介紹，此次推出的第四代 BCD 工藝在功率效率和高溫耐久性方面實(shí)現(xiàn)提升，用于衡量性能的特性導(dǎo)通電阻（Rsp）和擊穿電壓（BVDSS）等關(guān)鍵指標(biāo)較前代工藝改善超 20%。該工藝可根據(jù)不同工作電壓提供低導(dǎo)通電阻（On-Resistance）器件，從而有效縮小芯片面積并降低功率損耗，提升整體工藝競(jìng)爭(zhēng)力。

在應(yīng)用層面，該工藝為采用 BCD 及高電壓（HV）MOSFET 的高電壓、大電流電源管理集成電路（PMIC）提供了厚層絕緣膜（Thick IMD）選項(xiàng)，可在確保數(shù)字信號(hào)安全傳輸?shù)耐瑫r(shí)，阻斷不必要的高電壓和噪聲干擾。

此外，它還支持 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）、ROM（只讀存儲(chǔ)器）、MTP（多次可編程存儲(chǔ)器）、OTP（一次可編程存儲(chǔ)器）等嵌入式存儲(chǔ)選項(xiàng)，并提供用于精密電機(jī)控制的霍爾傳感器，以提升電路設(shè)計(jì)的靈活性和擴(kuò)展性。

該工藝可應(yīng)用于高電壓電源管理與轉(zhuǎn)換芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、LED 驅(qū)動(dòng)器、電源供給用柵極驅(qū)動(dòng)器等多種產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并滿足車用零部件可靠性評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q100 Grade 0”的要求。

SK 啟方半導(dǎo)體 CEO 李東載表示：“200V 高電壓 0.18 微米 BCD 工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)具有重要意義。未來(lái)，公司將持續(xù)根據(jù)功率半導(dǎo)體客戶的需求，不斷推進(jìn)工藝技術(shù)的升級(jí)與完善?！?/p>

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