IT之家 4 月 9 日消息，半導體設備巨頭 Applied Materials 應用材料美國當?shù)貢r間 8 日宣布推出兩款適用于“埃級”工藝的沉積設備系統(tǒng)，這兩款系統(tǒng)已被領先邏輯芯片制造商在 2nm 及以下尖端工藝中導入。

應用材料表示，GAA 全環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)正成為尖端工藝的必然之選，可帶來顯著的能效提升。不過 GAA 的結(jié)構(gòu)相較 FinFET 也更為復雜，需要超過 500 道工序方能制造，而這其中不少都要用到全新的材料沉積方法。

兩款新設備中 Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD 是一款等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)，面向分隔相鄰晶體管的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。其采用創(chuàng)新的自下而上選擇性沉積工藝，僅在溝槽必要位置向氧化硅絕緣介質(zhì)上沉積致密的氮化硅層，有助于保護絕緣介質(zhì)免受后續(xù)工序的影響。

而 Endura Trillium ALD 則是一款為 GAA 優(yōu)化的原子層沉積設備，其可構(gòu)建具有原子級均勻性的復雜金屬柵極結(jié)構(gòu)，允許晶圓廠靈活地調(diào)節(jié)不同晶體管的閾值電壓，通過精密的沉積厚度控制塑造滿足客戶多樣化參數(shù)要求的 GAA 晶體管。

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