IT之家 5 月 1 日消息，廣發(fā)證券分析師蒲得宇（Jeff Pu）昨日（4 月 30 日）在 X 平臺發(fā)布研報，指出英特爾代工業(yè)務取得關鍵突破，其 EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術良率達 90%，證明該技術已為 AI 數(shù)據(jù)中心芯片做好準備。

IT之家注：EMIB 是英特爾推出的 2.5D 先進封裝技術，通過在基板中嵌入硅橋，實現(xiàn)多個裸片間的高帶寬互連，提供比傳統(tǒng)封裝更低的功耗和成本，是目前挑戰(zhàn)臺積電 CoWoS 技術的核心方案。

蒲得宇指出最新數(shù)據(jù)顯示，EMIB 良率已與 FCBGA（倒裝芯片球柵陣列）相當，但提供了更高的裸片間互連密度。

技術層面，當前存在 EMIB-M 與 EMIB-T 兩個關鍵版本。EMIB-M 專為能效設計，在硅橋中集成了 MIM（金屬-絕緣體-金屬）電容器，通過降低噪聲增強供電完整性，電力需繞過橋接路由。而 EMIB-T 專為高性能 AI 芯片打造，集成了 TSV，允許電力直接穿過橋接路由，大幅提升擴展密度。

在擴展性方面，EMIB-T 當前已支持 > 8xReticle 尺寸，在 120x120 封裝內容納 12 個 HBM 芯片、4 個密集小芯片及超過 20 個 EMIB-T 連接。展望 2028 年，英特爾計劃將 EMIB-T 擴展至 > 12xReticle 尺寸，在 > 120x180 封裝內容納超過 24 個 HBM 裸片和 38 個以上 EMIB-T 橋接。

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