IT之家 5 月 1 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（4 月 30 日）發(fā)布博文，報道稱英特爾為吸引外部代工客戶，開始推廣 18A-P 制程技術(shù)。相比較 18A 工藝，18A-P 在同等功耗下性能提升 9%，或在同等性能下功耗降低 18%。

英特爾目前正在完善 18A-P 制程技術(shù)，并計劃在 6 月召開的 VLSI 大會上公布更多細節(jié)?；谀壳芭兜男畔?，作為 18A 的增強版，18A-P 基于 RibbonFET（環(huán)繞柵極晶體管）和 PowerVia（背面供電）技術(shù)，在同等功耗下性能提升約 9%，或在同等性能下功耗降低約 18%。

設(shè)計規(guī)格上，18A-P 的接觸柵極間距與庫高度與 18A 一致，但晶體管選項大幅擴展。新增低功耗及高性能器件，邏輯閾值電壓對從 18A 的 4 對增至 5 對以上，并在超低閾值電壓與低閾值電壓間新增選項。

18A-P 的 Skew Corners（時序偏差角）收緊 30%，顯著減少節(jié)點內(nèi)的性能差異。同時，互連 RC 優(yōu)化及 V0-V2 電阻降低，M2-M4 走線調(diào)整，進一步提升信號與電源效率。

IT之家注：時序偏差角指芯片制造過程中晶體管性能的統(tǒng)計學(xué)分布邊界。收緊 Skew Corners 意味著減少不同晶體管之間的性能差異，確保芯片在更窄的性能范圍內(nèi)運行，從而提升良率與設(shè)計可靠性。

熱管理方面，18A-P 制程達成 50% 的熱導(dǎo)率提升。這雖不意味著芯片運行溫度更低，但能更高效地將熱量傳導(dǎo)出去，避免芯片觸及熱閾值而降頻。

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