IT之家 5 月 23 日消息，韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日報(bào)道稱，業(yè)內(nèi)消息人士指出 KIOXIA（鎧俠）計(jì)劃在 2027 年量產(chǎn)第十代 BiCS FLASH 產(chǎn)品，相關(guān)投資細(xì)節(jié)待到 2026H2 會(huì)更為明朗。這一時(shí)點(diǎn)晚于此前曝光的 2026 年量產(chǎn)計(jì)劃。

鎧俠在 BiCS8 世代引入了 CBA（IT之家注：CMOS 直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）架構(gòu)，解耦了 NAND 中存儲(chǔ)單元和外圍電路的制造。該企業(yè)基于現(xiàn)有存儲(chǔ)單元技術(shù)和最新 CMOS 技術(shù)的 BiCS9 產(chǎn)品已于去年出樣。

而 BiCS10 則將存儲(chǔ)單元的堆疊層數(shù)提升到 332 層，以滿足未來市場對更大容量、更高性能解決方案的需求。該閃存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相較現(xiàn)有的 BiCS8 提升 59%。