IT之家 6 月 12 日消息，據(jù)上海證券報今日報道，湖北江城實驗室近期在電容關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破，成功研制出三維多層片上電容，電容密度突破每平方毫米 1000 納法。

據(jù)介紹，該電容可直接應(yīng)用于 AI / GPU 芯片、高性能處理器等高端芯片，支撐高算力、低功耗芯片研發(fā)。

IT之家從報道中獲悉，這款片上電容可以直接做在芯片內(nèi)部或緊鄰的硅基板內(nèi)，越靠近核心，越適合 AI 芯片納秒級大電流瞬態(tài)響應(yīng)，目標(biāo)客戶涵蓋國內(nèi)的 CPU、GPU、手機處理器等芯片廠商。

目前，相關(guān)技術(shù)正在開展工藝流片及小批量試產(chǎn)，將在先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。

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