IT之家 6 月 17 日消息，ZDNET Korea 今日報道稱，三星電子的下一代 DRAM 量產(chǎn)計劃正逐步明確。

消息人士透露，該公司目前正與多家合作伙伴共同開發(fā)用于第七代 10 納米級（1d）DRAM 的量產(chǎn)設備，目標最早在明年第二季度開始導入相關設備。三星電子計劃最早于明年上半年啟動 1d DRAM 的初步量產(chǎn)準備工作。

據(jù)介紹，1d DRAM 的電路線寬約為 10~11 納米，相比當前已商用的第六代 10 納米級（1c）DRAM 的 11~12 納米線寬進一步縮小。線寬越窄，代表 DRAM 的性能和能耗控制水平越高。

此前三星電子已對 1d DRAM 進行了包括初期樣品制作在內(nèi)的內(nèi)部量產(chǎn)評估。雖然一度有觀點認為三星最早可能在今年內(nèi)啟動 1d DRAM 量產(chǎn)，但由于關鍵設備仍處于開發(fā)階段，這一預期被認為不切實際。目前三星與合作方討論中的 1d DRAM 量產(chǎn)設備導入目標時間為明年第二季度?？紤]到實際量產(chǎn)準備所需的時間，三星啟動 1d DRAM 初步量產(chǎn)的時間點最早也要到明年年底。

一位半導體行業(yè)相關人士表示：“三星電子正在與主要合作伙伴積極進行研發(fā)，以穩(wěn)定 1d DRAM 的良率和性能。日程可能會有變動，但目標是在明年第二季度或第三季度引入量產(chǎn)設備?！?/p>

另一位相關人士則表示：“三星電子的 1d DRAM 屬于開發(fā)進展相對較高的工藝，預計明年可以開始量產(chǎn)，今年年底左右計劃將更加具體化?！?/p>

三星電子的 1d DRAM 預計將在其 AI 內(nèi)存業(yè)務中發(fā)揮重要作用。特別是計劃于 2029 年商業(yè)化的第九代高帶寬內(nèi)存（HBM5E），將采用 1d DRAM 作為核心芯片。IT之家后續(xù)將保持關注。

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