IT之家 7 月 22 日消息，韓國媒體《中央日報》今日早些時候報道稱，SK 海力士正在與英特爾就收購后者位于美國俄亥俄州的新建晶圓廠進(jìn)行談判，計劃未來在美國實(shí)現(xiàn)存儲芯片前端制造。

不過，SK 海力士隨后通過發(fā)言人回應(yīng)稱，公司“沒有收購計劃”，否認(rèn)了相關(guān)報道內(nèi)容。英特爾方面也表示，公司不會對媒體關(guān)于未來商業(yè)協(xié)議的猜測發(fā)表評論，但仍將繼續(xù)推進(jìn)俄亥俄項(xiàng)目建設(shè)。

此前《中央日報》援引匿名業(yè)內(nèi)人士消息稱，SK 海力士正在評估收購英特爾俄亥俄州半導(dǎo)體園區(qū)的可能性，目標(biāo)是在未來五年內(nèi)利用該基地生產(chǎn)存儲芯片。據(jù)報道，該交易如果推進(jìn)，可能幫助 SK 海力士擴(kuò)大美國本土生產(chǎn)布局，同時為英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)提供資金支持。不過，截至目前，雙方公司均未確認(rèn)存在相關(guān)交易談判。

英特爾俄亥俄半導(dǎo)體項(xiàng)目位于俄亥俄州新奧爾巴尼（New Albany），被稱為“Ohio One”項(xiàng)目，是英特爾近年來規(guī)模最大的制造投資之一。英特爾于 2022 年正式開工建設(shè)該園區(qū)，計劃一期投資超過 280 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 1897.86 億元人民幣），建設(shè)兩座先進(jìn)芯片制造工廠。整個園區(qū)占地約 1000 英畝（約 405 萬平方米），未來規(guī)劃最多可容納 8 座晶圓廠。

按照英特爾此前公布的規(guī)劃，該項(xiàng)目最初目標(biāo)是在 2025 年前后完成兩座先進(jìn)晶圓廠建設(shè)，并創(chuàng)造約 3000 個英特爾崗位。不過，隨著英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)推進(jìn)不及預(yù)期，公司調(diào)整了投資節(jié)奏，俄亥俄工廠建設(shè)時間表也被多次推遲。2025 年 2 月，英特爾表示，該項(xiàng)目首座晶圓廠預(yù)計將在 2030 年前后完成建設(shè)，投產(chǎn)時間可能在 2030 年至 2031 年之間。

英特爾曾將俄亥俄項(xiàng)目視為推動美國先進(jìn)芯片制造回流的重要基地，并獲得美國《芯片與科學(xué)法案》（CHIPS and Science Act）相關(guān)支持。美國商務(wù)部此前公布，英特爾俄亥俄項(xiàng)目獲得最高約 78.65 億美元（現(xiàn)匯率約合 533.1 億元人民幣）直接資金支持，用于擴(kuò)大美國本土先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力。

近年來，英特爾晶圓代工戰(zhàn)略面臨壓力。公司希望通過“IDM 2.0”戰(zhàn)略吸引外部客戶使用自身制造能力，但在先進(jìn)制程推進(jìn)、良率提升以及客戶拓展方面遭遇挑戰(zhàn)。與此同時，英特爾也實(shí)施了裁員、削減投資等成本控制措施。

對于 SK 海力士而言，美國制造布局也是其全球供應(yīng)鏈調(diào)整的一部分。目前，該公司正在美國印第安納州建設(shè)高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝基地，計劃投資約 38.7 億美元（現(xiàn)匯率約合 262.31 億元人民幣），并預(yù)計于 2028 年開始運(yùn)營。此外，韓國另一家芯片企業(yè)三星電子也在美國得克薩斯州泰勒建設(shè)先進(jìn)晶圓制造和研發(fā)設(shè)施。

美國近年來持續(xù)推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈本土化，希望覆蓋芯片設(shè)計、晶圓制造、存儲以及先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)。美國政府官員此前多次要求三星電子、SK 海力士等韓國企業(yè)擴(kuò)大在美投資規(guī)模，這也成為外界關(guān)注韓國存儲廠商未來美國制造計劃的重要背景。

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