IT之家 7 月 27 日消息，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方今日發(fā)布的人物訪談，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)技術(shù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人???進(jìn)一步確認(rèn)，三星計(jì)劃在 HBM5 世代應(yīng)用 2nm 的基礎(chǔ)裸片。三星電子存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁 ??? 今年 3 月也進(jìn)行了類似表態(tài)。

???提到，HBM5 的運(yùn)行速率預(yù)計(jì)將較 HBM4E 提升 50% 以上，其基礎(chǔ)裸片將支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以滿足行業(yè)需求。該內(nèi)存堆棧選擇 2nm 作為基礎(chǔ)裸片工藝旨在于性能和能效兩方面實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn)。

三星電子的 HBM4 和 HBM4E 上均配備 4nm 基礎(chǔ)裸片，但這兩個(gè)版本的基礎(chǔ)裸片有所區(qū)別。三星電子發(fā)揮了其 4nm 節(jié)點(diǎn)的靈活性優(yōu)勢(shì)，在 HBM4E 基礎(chǔ)裸片上應(yīng)用了高密度、超高性能器件，實(shí)現(xiàn)了 14+ Gbps 高速運(yùn)行，而金屬層的更有效排列則在降低功耗的同時(shí)優(yōu)化散熱路徑。

???還表示，三星晶圓代工已進(jìn)軍可插拔光模塊業(yè)務(wù)，并正利用先進(jìn)工藝和 3D 封裝技術(shù)為共封裝光模塊 (CPO) 業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)技術(shù)。