IT之家 7 月 30 日消息，三星電子官方人士在今日的 2026Q2 財報電話會議上表示，一旦敲定當前待審合同，所有長期協議 (LTA) 將可輕松占據其 DRAM / NAND 產出容量的 60~70%。

越來越多的客戶選擇與三星電子簽署 LTA，這家存儲半導體巨頭已與全球五大數據中心客戶敲定協議，也正與另外五個主要客戶洽談。而三星電子的 5 年期 LTA 擁有每年可協商續(xù)期 1 年的條款，從而實際上形成滾動式合同結構。

三星電子 2026Q2 的 DRAM 容量產出環(huán)比增長十幾個百分點，ASP（平均售價）環(huán)比上漲 40% 中段；NAND 產出增長個位數百分點，ASP 上漲超 60%。該企業(yè)預計 2026Q3 的 DRAM 與 NAND 容量產出將分別環(huán)比增長中個位數百分比和高個位數百分比。

存儲芯片的新增供應量到 2028 年仍不會出現顯著增長，同時 2026 年內未被滿足的需求也將堆積到 2027 年，這使得三星電子認為明年的供需缺口會進一步擴大，帶來更加嚴峻的供應限制。

此外，服務器固態(tài)硬盤今年將占據三星電子整體 NAND 銷售組合的 60%，相較 2025 年提升超 20 個百分點?；阪I合工藝和三堆棧結構的第 10 代 V-NAND 計劃于 8 月量產。

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