IT之家 6 月 4 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（6 月 3 日）發(fā)布博文，報道稱在 2026 臺北國際電腦展上，三星展示了面向 HBM5 內存的 HPB（Heat Block Path，熱區(qū)塊路徑）封裝散熱結構。

IT之家昨日報道，三星在本次展會上展示了全球首款 HBM5 內存，最新報道則聚焦全新的 HPB 散熱架構，該技術面向更高密度、更高速度的 HBM 堆棧，核心目標是降低散熱壓力，支撐 AI 數據中心所需的高帶寬內存升級。

該媒體稱三星的 HPB 散熱架構在封裝內部加入獨立熱柱。熱柱可從堆疊內部帶走熱量，并導向封裝上方或側邊的散熱器。

三星把重點放在 D2D PHY（裸片到裸片物理層）區(qū)域，也就是 HBM 基底芯片與 GPU 之間的高速連接層。隨著堆疊變高、速度變快，這里的溫度和功耗密度快速抬升。三星稱，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和驗證。

HBM4E 的首批 12 層樣品已于上月出貨，速率為 14Gbps，后續(xù)可擴展到 16Gbps，每堆疊帶寬為 3.6TB/s。

三星還確認，HBM5 基底芯片會從 HBM4 和 HBM4E 使用的 4nm 節(jié)點，轉向自家 2nm 工藝。

三星 Device Solutions 總裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系統(tǒng)更強大且集成更密，熱管理、數據處理效率和封裝穩(wěn)定性已與內存性能同樣關鍵。

三星同時擁有內存業(yè)務和邏輯代工業(yè)務，因此可把 HBM5 堆疊與 2nm 基底芯片納入自家制造體系。

SK 海力士也瞄準同一熱點，但采用不同路線。其 iHBM（集成式高帶寬內存）方案把電絕緣、導熱硅冷卻元件嵌入 D2D PHY 層，稱可較現有產品降低超過 30% 熱阻。三星選擇建立熱量外排通道，SK 海力士則把冷卻元件放在熱點處。

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